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  • 纯化合物半导体代工厂推出全新RF GaN技术
    发布日期:2024-06-17     350
    6月14日,纯化合物半导体代工厂稳懋半导体(WIN Semiconductors Corp)宣布,公司扩大了其RF GaN技术组合,推出了基于碳化硅(SiC)的毫米波氮化镓(GaN)技术测试版NP12-0B平台。目前,NP12-0B鉴定测试已经完成,最终建模/PDK生成预计将于2024年8月完成,并计划于2024年第三季度末发布完整的生产版本。据稳懋半导体介绍,该
  • 吉利汽车与意法半导体签署碳化硅长期供应协议
    发布日期:2024-06-13     307
    ·意法半导体第三代SiC MOSFET助力吉利相关品牌纯电车型提高电驱能效·双方成立创新联合实验室,共同推动节能智能化电动汽车发展2024年6月4日,中国北京--服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)与全球汽车及新能源汽车龙头制造商吉利
  • 沙特成立国家半导体中心打造中东硅谷,专注芯片设计,想减少石油依赖
    发布日期:2024-06-07     360
    6 月 6 日消息,据彭博社报道,沙特阿拉伯推出了一项旨在成为芯片设计中心的全新战略,希望以此推动本国经济多元化发展,减少对原油的依赖。图源 Pexels沙特阿拉伯周三宣布成立国家半导体中心,以扶持设计新型芯片的无晶圆厂芯片公司,该计划的目标是在 2030 年之前吸引 50 家此类公司入驻沙特。新中心负责人纳维德・谢尔瓦
  • 武汉芯源半导体CW32单片机进入即热式热水器应用市场
    发布日期:2024-06-07     429
    6月5日,武汉芯源半导体介绍了CW32F030K8T7在即热式热水器应用方案。本方案通过采用武汉芯源半导体的CW32F030系列单片机,以其高性能、超强抗干扰等特性,为即热式热水器的智能化提供了理想的解决方案。据悉,CW32F030C8T7有着丰富的外设接口,配备了多路UART、SPI、I2C等通信接口,同时,其高精度的ADC(模数转换器)可以实
  • 英特尔及14家日本公司将利用夏普LCD工厂进行芯片研究
    发布日期:2024-06-06     266
    据悉,英特尔及其14家日本合作伙伴公司将利用夏普在日本未充分利用的液晶显示器(LCD)工厂来研究尖端半导体生产技术,此举将降低联盟成本并为陷入困境的电子公司提供所需的收入。英特尔将与欧姆龙、Resonac Holdings、村田机械等14家供应商一起在夏普的LCD工厂开始研发包括组装在内的后端芯片生产工艺。LCD和半导体有一个共
  • 日本拟立法提供资金推动下一代2nm半导体量产
    发布日期:2024-06-06     286
    6 月 5 日消息,据日经新闻今日报道,日本政府将于 6 月下旬敲定的经济财政运营及改革基本方针草案现已公开。为了推动下一代半导体的量产,当地政府纳入了完善相关法律的方针。草案中提到,为了实现下一代半导体的量产,将研究“必要的法制上的”措施。报道还称,有分析认为草案考虑到了 Rapidus 力争在 2027 年之前量产的
  • 意法半导体建造全球首个集成碳化硅工厂 建成后每周可产1.5万片晶圆
    发布日期:2024-06-04     334
    6月3日消息,据媒体报道,意法半导体近日宣布,计划在意大利卡塔尼亚建立全球首个专注于200mm集成碳化硅(SiC)的工厂,该工厂将专注于功率器件和模块的制造,同时涵盖测试与封装流程。公司总裁表示,卡塔尼亚的碳化硅园区将全面释放其集成能力,预计在未来几十年内,为意法半导体在汽车和工业领域中的碳化硅技术领先地位奠
  • 韩国12家公司因操纵三星半导体监控系统竞标价格被罚近5500万元
    发布日期:2024-06-03     339
    6月2日消息,韩国反垄断监管机构周日表示,已决定对12家韩国企业处以总计104.6亿韩元(约合人民币5500万元)的罚款,原因是这些企业串通操纵三星SDS公司一种半导体监控系统的投标价格。据报道,该系统旨在确保半导体制造工厂的最佳条件和工人的安全,并监测和控制泵、冷却器、特种气体和芯片生产所需的整体设施等。韩国公平
  • 索尼:未来三年半导体业务同比减少30%投资
    发布日期:2024-06-03     372
    索尼集团半导体部门近日宣布,截至2027年3月的三年内计划投入约6500亿日元(41.4亿美元)的资本支出,比前三年减少约30%。索尼半导体解决方案公司主要生产智能手机摄像头的图像传感器。由于盈利能力下降,包括一条采用尖端技术的新量产线遭遇挫折,该公司正在削减投资。总裁兼CEO清水照士(Terushi Shimizu)在5月31日的一次
  • 科友半导体碳化硅晶体厚度突破80mm
    发布日期:2024-05-31     323
    5月29日,科友半导体碳化硅晶体生长车间传来捷报,自主研发的电阻长晶炉再次实现突破,成功制备出多颗中心厚度超过80mm,薄点厚度超过60mm的导电型6英寸碳化硅单晶。科友半导体表示,这也是国内首次报道和展示厚度超过60mm的碳化硅原生锭毛坯,厚度是目前业内主流晶体厚度的3倍,单片成本较原来降低70%,有效提高企业盈利能

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